从纳米尺度向埃米领域迈进台积电发力1nm工艺：目标集成1万亿晶体管

3月16日消息，台积电在去年的全球晶圆代工市场中占据了70%的份额，其先进工艺相较于其他同行优势显著，目前已实现2nm工艺的量产，而1nm工艺也处于研发推进阶段。

1在1纳米工厂正式开建前，首要准备的是园区土地。近期有消息透露，总面积达531公顷的台南沙仑园区，预计今年4月将启动二期环评工作，最终环评计划在2027年第三季度完成。

之后就可以交付给台积电用于建厂，预计初期规模不会低于200公顷。

根据台积电此前披露的规划，沙仑园区将兴建6座晶圆厂，其中P1至P3厂主要聚焦1.4nm工艺A14，P4至P6厂则针对1nm工艺，后续也不排除布局0.7nm工艺的可能。

台积电目前公布的技术路线图显示，2nm制程的N2工艺已于去年底实现量产，今年将由苹果、AMD等企业进行规模商用；而A16工艺则由NVIDIA的费曼GPU首发，预计今年底进入试产阶段，正式量产则要等到2027年。

A16之后将采用A14工艺，这属于1.4纳米级别，该工艺会升级至第二代GAA晶体管结构并配备背面供电技术，预计在2028年推出。

再往后便是当下热议的1nm工艺，不过台积电此前披露的相关信息较为有限。按照以往的命名惯例，它大概率会被称作A10，这将是台积电首款埃米级工艺。而全球首个埃米级工艺的头衔，早几年已被Intel的20A工艺占据，只是后者多少有些名不符实——尚未真正实现1nm以下的突破，就抢先认领了埃米工艺的荣誉。

台积电1nm工艺的技术细节目前仍不明确，有传闻称其晶体管结构可能从GAA进一步升级到CFET，甚至还有消息提及会采用2D材料，当下很难断定最终方案会是怎样。

1台积电计划在2030年推出1nm工艺节点，2023年他们提出目标：1nm单芯片集成2000亿晶体管，通过3D封装实现1万亿晶体管集成。这一目标与Intel此前提出的1万亿晶体管目标一致，未来将是双方在该领域的竞争，看谁能率先达成。