三星宣布2030年量产1nm芯片，与台积电角逐先进工艺主导权

4月3日消息，据媒体报道，三星近期对外宣布，计划在2030年之前完成1nm制程的量产工作，是业界中首个公开透露1nm生产节点时间规划的厂商，旨在和台积电竞争先进制程领域的话语权。

目前，台积电对外公布的最先进制程路线图已进入埃米时代，其下一代逻辑制程A14（1.4纳米）计划在2028年实现量产。

台积电表示，A14制程的目标是借助提升运算速度和能效来助力AI转型，并且有希望增强终端设备的AI性能，让智能手机变得更具智能化。

台积电此前曾透露，A14制程的开发工作进展顺利，良率表现超出预期，而搭载超级电轨（SPR）技术的版本预计将于2029年推出。

此外，作为台积电进军埃米制程的首个关键节点，隶属于2nm家族的A16制程预计在2026年下半年实现量产。此前业界有消息称，OpenAI自主研发的ASIC芯片正与博通、迈威尔（Marvell）等美国厂商合作开发，并且已经在台积电的3nm制程和A16制程上进行投片生产。

产业界人士透露，三星晶圆代工部门计划在2030年之前完成1纳米制程的研发工作并实现量产。鉴于1纳米制程的晶体管密度达到2纳米的两倍，其技术难度大幅增加，因此被看作是芯片微缩进程中的关键里程碑。

为突破物理极限，三星1nm制程的主力架构将从现行的环绕式闸极（GAA）转向“叉型片”（fork sheet）结构，通过在纳米片之间加入绝缘层，进一步提升电晶体密度，以此改善功耗与性能表现。

受AI对高阶芯片需求旺盛的推动，三星持续加大研发与资本支出力度，2025年投入总额已达90.4兆韩元，2026年还将进一步增加22%，这一举措彰显出其力求追赶并超越竞争对手、在AI芯片与高频宽记忆体（HBM）等新兴领域抢占话语权的坚定决心。

与此同时，三星也在同步优化现有先进制程，积极争取重量级客户订单。产业人士透露，三星已研发出客制化2nm制程“SF2T”，该制程主要用于供应特斯拉下一代AI芯片AI6，预计2027年将在三星位于德州的新工厂实现量产。